Bipolartransistor BCW68H
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW68H
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des BCW68H
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
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