Bipolartransistor BCW68H

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW68H

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW68H

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW68H kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW68 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW68F im Bereich von 100 bis 250, die des BCW68G im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW68H ist der BCW66H.
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