Bipolartransistor BC850AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC850AW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC850AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC850AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC850BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC850CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC850W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC850AW ist der BC860AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC850AW

Sie können den Transistor BC850AW durch einen 2SC4116, BC817-16W, BC817W, BC846AW, BC846W, BC847AW, BC847W oder FJX945 ersetzen.
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