Bipolartransistor BC847AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC847AW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC847AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC847AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC847BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC847CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC847W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC847AW ist der BC857AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC847AW

Sie können den Transistor BC847AW durch einen 2SC4116, BC817-16W, BC817W, BC846AW, BC846W, BC850AW, BC850W oder FJX945 ersetzen.
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