Bipolartransistor BC413B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 180 bis 460
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC413B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC413B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC413 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC413C im Bereich von 380 bis 800.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC413B ist der BC415B.Sie können den Transistor BC413B durch einen BC182, BC182B, BC183, BC184, BC237, BC237B, BC337, BC414, BC414B, BC445, BC445B, BC547, BC548, BC549 oder BC550 ersetzen.