Bipolartransistor BC317C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC317C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.31 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC317C

Der BC317C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC317C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC317 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC317A im Bereich von 110 bis 220, die des BC317B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC317C ist der BC320C.

SMD-Version des Transistors BC317C

Der BC857 (SOT-23), BC857C (SOT-23), BC857CW (SOT-323), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860C (SOT-23), BC860CW (SOT-323) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC317C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC317C

Sie können den Transistor BC317C durch einen BC320, BC320C, KSP55, KSP56, KTC9015, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G oder ZTX792A ersetzen.
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