Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD863-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SD863-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD863-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD863 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD863-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD863-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD863-E-Transistor könnte nur mit "D863-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD863-E ist der 2SB764-E.