Bipolartransistor 2SD1763A-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1763A-E

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1763A-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1763A-E kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1763A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD1763A-F im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1763A-E-Transistor könnte nur mit "D1763A-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1763A-E ist der 2SB1186A-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1763A-E

Sie können den Transistor 2SD1763A-E durch einen 2SC2336, 2SC2336-R, 2SC2336A, 2SC2336A-R, 2SC2336B, 2SC2336B-R, 2SC2344, 2SC2344D, 2SC4382, 2SC4883A, 2SC5248, 2SC5248-D, 2SD1264A, 2SD1264A-Q, 2SD610, 2SD610-R, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, FJP5200, FJPF5200, MJE15032, MJE15032G, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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