Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1763A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1763A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1763A kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1763A-E liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1763A-F im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1763A-Transistor könnte nur mit "D1763A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1763A ist der 2SB1186A.
