Bipolartransistor 2SC2336-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2336-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 95 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SC2336-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2336-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2336 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SC2336-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC2336-Q im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2336-R-Transistor könnte nur mit "C2336-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2336-R ist der 2SA1006-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2336-R

Sie können den Transistor 2SC2336-R durch einen 2SC2336A, 2SC2336A-R, 2SC2336B, 2SC2336B-R, 2SC4382, 2SC4883A, 2SD1264A, 2SD1264A-Q, 2SD610, 2SD610-R, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, FJP5200, FJPF5200, MJE15032 oder MJE15032G ersetzen.
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