Bipolartransistor 2SD1413
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1413
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1413
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1413-Transistor könnte nur mit "
D1413" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum 2SD1413 ist der
2SB1023.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1413
Sie können den Transistor 2SD1413 durch einen
2SC3144,
2SC3145,
2SD1190,
2SD1191,
2SD1192,
2SD1276,
2SD1276-P,
2SD1276-Q,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277,
2SD1277-P,
2SD1277-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1825,
2SD1826,
2SD1827,
2SD1890,
2SD1890-P,
2SD1890-Q,
2SD634,
2SD635,
2SD837-P,
2SD837-Q,
2SD837A-P oder
2SD837A-Q ersetzen.
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