Bipolartransistor 2SD1413

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1413

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1413

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1413-Transistor könnte nur mit "D1413" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1413 ist der 2SB1023.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1413

Sie können den Transistor 2SD1413 durch einen 2SC3144, 2SC3145, 2SD1190, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1276, 2SD1276-P, 2SD1276-Q, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1825, 2SD1826, 2SD1827, 2SD1890, 2SD1890-P, 2SD1890-Q, 2SD634, 2SD635, 2SD837-P, 2SD837-Q, 2SD837A-P oder 2SD837A-Q ersetzen.
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