Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1211-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 65 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1211-E
Der 2SC1211-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1211-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1211 liegt im Bereich von 55 bis 300, die des 2SC1211-C im Bereich von 55 bis 110, die des 2SC1211-D im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1211-E-Transistor könnte nur mit "C1211-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1211-E ist der 2SA697-E.
