Bipolartransistor KTC1008-GR

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SC1008G transistor

Der KTC1008-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTC1008-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC1008 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTC1008-Y im Bereich von 100 bis 200.Der FMMT491 (SOT-23), FMMT491Q (SOT-23), KTC4378 (SOT-89) und KTC4378GR (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC1008-GR-Transistors.Der 2SC1008G ist die TO-92-Version des KTC1008-GR.Sie können den Transistor KTC1008-GR durch einen 2SD1616A, 2SD667, 2SD667D, KSD1616A oder NTE382 ersetzen.