Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB929-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SB929-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB929-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB929 liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SB929-Q im Bereich von 70 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB929-P-Transistor könnte nur mit "B929-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB929-P ist der 2SD1252-P.
SMD-Version des Transistors 2SB929-P
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB929-P-Transistors.
