Bipolartransistor 2SB933

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB933

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB933

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB933 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB933-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB933-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB933-Transistor könnte nur mit "B933" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB933 ist der 2SD1256.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB933

Sie können den Transistor 2SB933 durch einen 2SB934 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com