Bipolartransistor 2SB931

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB931

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB931

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB931 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB931-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB931-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB931-Transistor könnte nur mit "B931" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB931 ist der 2SD1254.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB931

Sie können den Transistor 2SB931 durch einen 2SB932, 2SB933 oder 2SB934 ersetzen.
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