Bipolartransistor 2SB930

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB930

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB930

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB930 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB930-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB930-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB930-Transistor könnte nur mit "B930" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB930 ist der 2SD1253.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB930

Sie können den Transistor 2SB930 durch einen 2SB930A ersetzen.
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