Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1252-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SD1252-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1252-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1252 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1252-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1252-R im Bereich von 40 bis 90.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1252-P-Transistor könnte nur mit "D1252-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1252-P ist der 2SB929-P.
SMD-Version des Transistors 2SD1252-P
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1252-P-Transistors.
