Bipolartransistor 2SB929-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB929-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB929 liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SB929-P im Bereich von 120 bis 250.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB929-Q-Transistor könnte nur mit "B929-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB929-Q ist der 2SD1252-Q.Sie können den Transistor 2SB929-Q durch einen 2SB906, 2SB929A, 2SB929A-Q, 2SB930, 2SB930-Q, 2SB930A, 2SB930A-Q oder KTA1042D ersetzen.