Bipolartransistor 2SB929

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB929

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB929

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB929 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB929-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB929-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB929-Transistor könnte nur mit "B929" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB929 ist der 2SD1252.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB929

Sie können den Transistor 2SB929 durch einen 2SB929A, 2SB930 oder 2SB930A ersetzen.
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