Bipolartransistor 2SB743-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB743-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 55 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB743-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB743-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB743 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB743-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB743-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB743-P-Transistor könnte nur mit "B743-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB743-P ist der 2SD793-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB743-P

Sie können den Transistor 2SB743-P durch einen 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744-Y, 2SB744A, 2SB744A-Y, 2SB772, 2SB772P, 2SB772Y, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB744, KSB744-Y, KSB744A, KSB744A-Y, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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