Bipolartransistor 2SB648A-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB648A-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB648A-C im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648A-B-Transistor könnte nur mit "B648A-B" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648A-B ist der 2SD668A-B.Sie können den Transistor 2SB648A-B durch einen 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, HSB1109, HSB1109-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 oder MJE350G ersetzen.