Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB649-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB649-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB649-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB649 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB649-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB649-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB649-D-Transistor könnte nur mit "B649-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB649-D ist der 2SD669-D.
SMD-Version des Transistors 2SB649-D
Der PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89) und PBHV9115Z (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB649-D-Transistors.
