Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB631K-F
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB631K-F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB631K-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631K liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB631K-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB631K-E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631K-F-Transistor könnte nur mit "B631K-F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631K-F ist der 2SD600K-F.
SMD-Version des Transistors 2SB631K-F
Der 2SB806 (SOT-89) und 2SD1007 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB631K-F-Transistors.
