Bipolartransistor 2SB649-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB649-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB649 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB649-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB649-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB649-B-Transistor könnte nur mit "B649-B" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB649-B ist der 2SD669-B.Sie können den Transistor 2SB649-B durch einen 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB649A oder 2SB649A-B ersetzen.