Bipolartransistor 2SA1964-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1964-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SA1964-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1964-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1964 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1964-E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1964-D-Transistor könnte nur mit "A1964-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1964-D ist der 2SC5248-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1964-D

Sie können den Transistor 2SA1964-D durch einen 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1668, 2SA1859A, 2SB1186A, 2SB1186A-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.
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