Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1151-L
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1151-L
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1151-L kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1151 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1151-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1151-M im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1151-L-Transistor könnte nur mit "B1151-L" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1151-L ist der 2SD1691-L.
SMD-Version des Transistors 2SB1151-L
Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223), BDP950 (SOT-223) und STN951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1151-L-Transistors.
