Bipolartransistor KTB1151-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB1151-O kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1151 liegt im Bereich von 160 bis 400, die des KTB1151-Y im Bereich von 200 bis 400.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1151-O ist der KTD1691-O.Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223), BDP950 (SOT-223) und STN951 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1151-O-Transistors.Sie können den Transistor KTB1151-O durch einen 2SB1151, 2SB1151-L, KSB1151 oder KSB1151-Y ersetzen.