Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1691-L
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1691-L
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1691-L kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1691 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SD1691-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1691-M im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1691-L-Transistor könnte nur mit "D1691-L" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1691-L ist der 2SB1151-L.
SMD-Version des Transistors 2SD1691-L
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1691-L-Transistors.
