Bipolartransistor KTB1151

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB1151 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1151-O liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTB1151-Y im Bereich von 200 bis 400.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1151 ist der KTD1691.Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1151-Transistors.Sie können den Transistor KTB1151 durch einen 2SB1151 oder KSB1151 ersetzen.