Bipolartransistor 2SB1151

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1151 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1151-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1151-L im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB1151-M im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1151-Transistor könnte nur mit "B1151" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1151 ist der 2SD1691.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1151-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1151 durch einen KSB1151 ersetzen.