Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1151-M
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1151-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1151-M kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1151 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1151-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1151-L im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1151-M-Transistor könnte nur mit "B1151-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1151-M ist der 2SD1691-M.
SMD-Version des Transistors 2SB1151-M
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1151-M-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1151-M
Sie können den Transistor 2SB1151-M durch einen KSB1151 oder KSB1151-O ersetzen.
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