Bipolartransistor KSB1151-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1151-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor

Pinbelegung des KSB1151-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB1151-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1151 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KSB1151-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB1151-O im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1151-Y ist der KSD1691-Y.

SMD-Version des Transistors KSB1151-Y

Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223), BDP950 (SOT-223) und STN951 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1151-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1151-Y

Sie können den Transistor KSB1151-Y durch einen 2SB1151, 2SB1151-L, KTB1151 oder KTB1151-O ersetzen.
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