Bipolartransistor 2SA642O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA642O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA642O

Der 2SA642O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA642O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA642 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SA642G im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA642Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA642O-Transistor könnte nur mit "A642O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA642O ist der 2SD227O.

SMD-Version des Transistors 2SA642O

Der MMBT4125 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA642O-Transistors.

Transistor 2SA642O im TO-92-Gehäuse

Der KSA642O ist die TO-92-Version des 2SA642O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA642O

Sie können den Transistor 2SA642O durch einen 2N4402, 2SA696, 2SB564A, 2SB564AO, KSA642, KSA642O, KSB564A, KSB564AO, KTC9012, MPS3702, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G oder S9012 ersetzen.
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