Bipolartransistor 2SD227O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD227O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD227O

Der 2SD227O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD227O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD227 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SD227G im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD227Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD227O-Transistor könnte nur mit "D227O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD227O ist der 2SA642O.

Transistor 2SD227O im TO-92-Gehäuse

Der KSD227O ist die TO-92-Version des 2SD227O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD227O

Sie können den Transistor 2SD227O durch einen 2N4400, 2SC1210, 2SD471A, 2SD471AO, KSD227, KSD227O, KTC9013, MPS3705, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G oder S9013 ersetzen.
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