Bipolartransistor 2SA642

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA642

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA642

Der 2SA642 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA642 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA642G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA642O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA642Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA642-Transistor könnte nur mit "A642" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA642 ist der 2SD227.

Transistor 2SA642 im TO-92-Gehäuse

Der KSA642 ist die TO-92-Version des 2SA642.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA642

Sie können den Transistor 2SA642 durch einen 2SB564A, KSA642, KSB564A, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.
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