Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1016G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1016G
Der 2SA1016G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1016G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1016 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SA1016F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1016H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1016G-Transistor könnte nur mit "A1016G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1016G ist der 2SC2326G.
SMD-Version des Transistors 2SA1016G
Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1016G-Transistors.
