Bipolartransistor 2SA1376

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1376 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1376 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1376-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1376-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SA1376-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1376-Transistor könnte nur mit "A1376" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1376 ist der 2SC3478.Sie können den Transistor 2SA1376 durch einen KTA1279 ersetzen.