Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2326G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2326G
Der 2SC2326G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2326G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2326 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SC2326F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC2326H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2326G-Transistor könnte nur mit "C2326G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2326G ist der 2SA1016G.
SMD-Version des Transistors 2SC2326G
Der 2SC1622A (SOT-23) und FJV1845 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2326G-Transistors.
