Bipolartransistor 2SB715

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB715

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB715

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB715 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB715-D liegt im Bereich von 250 bis 500, die des 2SB715-E im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB715-Transistor könnte nur mit "B715" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB715 ist der 2SD755.

SMD-Version des Transistors 2SB715

Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB715-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB715

Sie können den Transistor 2SB715 durch einen 2SA1016, 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA992, 2SB716 oder KSA992 ersetzen.
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