Bipolartransistor 2SA1016H

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.4 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 480 bis 960
• Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1016H wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1016H kann eine Gleichstromverstärkung von 480 bis 960 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1016 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SA1016F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1016G im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1016H-Transistor könnte nur mit "A1016H" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1016H ist der 2SC2326H.Sie können den Transistor 2SA1016H durch einen 2SA1016K oder 2SA1016KH ersetzen.