Bipolartransistor 2N5496

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 70 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N5496 durch einen 2N6131, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.