Bipolartransistor DZT5401

Elektrische Eigenschaften des Transistors DZT5401

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223
  • Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor

Pinbelegung des DZT5401

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der DZT5401-Transistor ist als "K4M" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum DZT5401 ist der DZT5551.

Transistor DZT5401 im TO-92-Gehäuse

Der 2N5401 ist die TO-92-Version des DZT5401.
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