Bipolartransistor 2N5401

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5401 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor 2N5401C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors 2N5401.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5401 ist der 2N5551.Der 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23) und PMBT5401 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5401-Transistors.Sie können den Transistor 2N5401 durch einen 2SA709 ersetzen.