Bipolartransistor PMBT5401

Elektrische Eigenschaften des Transistors PMBT5401

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor

Pinbelegung des PMBT5401

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der PMBT5401-Transistor ist als "p2L" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum PMBT5401 ist der PMBT5550.

Transistor PMBT5401 im TO-92-Gehäuse

Der 2N5401 ist die TO-92-Version des PMBT5401.

Ersatz und Äquivalent für Transistor PMBT5401

Sie können den Transistor PMBT5401 durch einen 2N5401S, KST5401, KST92, KST93, MMBT5401 oder MMBTA92 ersetzen.
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