Bipolartransistor 2N5551Y

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 180 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Rauschzahl, max: 8 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5551Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5551Y ist der 2N5401Y.Der 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), FZT696B (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23) und PMBT5551 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5551Y-Transistors.Sie können den Transistor 2N5551Y durch einen 2N5551, 2N5551G, 2N5832, 2N5833 oder NTE194 ersetzen.