Bipolartransistor 2N5401S

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Rauschzahl, max: 8 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der 2N5401S-Transistor ist als "ZE" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5401S ist der 2N5551S.Sie können den Transistor 2N5401S durch einen MMBT5401 ersetzen.