Bipolartransistor KST5401

Elektrische Eigenschaften des Transistors KST5401

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor

Pinbelegung des KST5401

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der KST5401-Transistor ist als "2L" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KST5401 ist der KST5551.

Transistor KST5401 im TO-92-Gehäuse

Der 2N5401 ist die TO-92-Version des KST5401.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KST5401

Sie können den Transistor KST5401 durch einen 2N5401S, KST92, KST93, MMBT5401 oder MMBTA92 ersetzen.
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