Transistor bipolaire MJD117G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
• Le MJD117G est la version sans plomb du transistor MJD117

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD117G est marqué "J117G".Le transistor NPN complémentaire du MJD117G est le MJD112G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD117G par MJD117, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 ou MJD127T4G.