Transistor bipolaire MJD117

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD117 est marqué "J117".Le transistor NPN complémentaire du MJD117 est le MJD112.Vous pouvez remplacer le transistor MJD117 par MJD117G, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 ou MJD127T4G.Le transistor MJD117G est la version sans plomb du MJD117.