Transistor bipolaire MJD127

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD127 est marqué "J127".Le transistor NPN complémentaire du MJD127 est le MJD122.Vous pouvez remplacer le transistor MJD127 par MJD127G, MJD127T4 ou MJD127T4G.Le transistor MJD127G est la version sans plomb du MJD127.